2nmGAA工艺进展被传顺利,但三星的目标是通过推出自己的1nm工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出,该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而,由于量产目标定于2029年,我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。 1nm晶圆的开发需要“高NAEUV曝光设备”,但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。 另一方面,台积电也正在推出2纳米以下芯片,据报道,这家台湾半导体巨头已于4月初开始接受2纳米晶圆订单。至于三星,在其2纳米GAA技术的试产过程中,据报道其良率达到了30%,这比3纳米GAA工艺有所提升,但仍有很大提升空间。据称,台积电也已开始开发1.4纳米节点,因此三星在1纳米工艺上的突破将使其取得一些领先优势。 根据爆料人@Jukanlosreve披露的细节,该公司的1nm工艺被称为“梦想中的半导体工艺”,而要实现这一目标,需要使用高数值孔径EUV曝光设备,而三星尚未购置此类设备。报道还提到,一些参与开发这一尖端工艺的研究人员已被调入团队。 这篇报道的有趣之处在于,此前有消息称三星已取消其1.4纳米制程,这可能是因为三星正将资源和人力集中用于2纳米技术,尽管三星并未透露采取这一举措的具体原因。假设三星成功生产出首颗1纳米晶圆,该公司也需要一段时间才能实现量产,因为其目标是在2029年,也就是四年后,在此期间,这家韩国巨头会有很大可能遇到一些生产障碍。 |
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