| 台湾台积电(TSMC)7月1日面向新闻媒体进行了“TSMC 2010 Japan Technology Symposium”(7月2日举办)的会前说明会,台积电研发副总裁兼首席技术官Jack Sun和台积电日本代表董事社长小野寺诚,在说明会上介绍了技术开发状况和业务状况。其中,Jack Sun介绍的技术开发状况与该公司在2010年2月24日举行的“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”的内容相比没有太大变化(参阅本站报道)。不过,关于20nm曝光技术方面,Jack Sun表示“EUV(extreme ultraviolet)曝光和多电子束直写(MEBDW)都可以,我们需要可以满足成本和处理能力要求的技术”,由此可以看出台积电强烈期待曝光技术能较现状取得大的进展。 关于工艺技术的开发状况方面,已经开始试验性生产采用SiON栅极绝缘膜的28nm低功耗版工艺(28LP)。关于采用HKMG(组合使用高介电率栅极绝缘膜和金属栅极)的三项工艺(28HP,28HPL,28HPM)方面,正在推进试验性生产的准备工作。28HP、28HPL以及28HPM分别预定在2010年第四季度、2011年第一季度以及2011年第四季度开始验性生产。另外,20nm工艺也正在进行开发,目的是在2012年第四季度开始生产高性能版的“20G”,在2013年第二季度开始生产低功耗版的“20SoC”。 在曝光技术方面,台积电展示了同时记载有20nm工艺用MEBDW(用于接触孔和通孔,处理能力为100张/小时)、EUV曝光(开口数(NA)为0.25)以及组合使用超解像技术和布局技术的ArF液浸曝光(NA1.35)的三种技术的图案。其中,在MEBDW和EUV曝光方面展示了最新成果。例如,在MEBDW方面展示了采用光束为110、加速电压为5KeV的Preα机,对半间距为30nm的接触孔进行曝光的成果,今后为了实现10张/小时和100张/小时的处理能力,计划扩展到1万3000光束并推进实现集群工具(Cluster Tool)化,以支持20nm和14nm。 另外在EUV方面,台积电展示了对20nm的第一层金属布线和14nm的接触层进行EUV曝光的成果,同时还表示预定在2011年早些时候导入“NXE:3100”。不过,Jack Sun指出,“课题均是成本和处理能力”。对于记者提出的“从目前来看,您认为哪一种技术更有前途”这一问题,Jack Sun未作出明确回答,让人觉得他对上述的技术都还很不满意。(日经BP社 记者:长广 恭明) |





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