| 产学合作探讨未来硬盘技术的非盈利团体——日本信息存储研究推进机构(SRC:Storage Research Consortium)在6月2日于东京举行的技术报告会上,公布了“第4次技术委员会”的讨论结果,该委员会此前一直在探索可使硬盘的面记录密度达到2Tbit/平方英寸的技术。在探讨的多项候选技术中,“瓦记录(shingled write recording)虽然还存在系统问题,却是最接近实现的技术”(该委员会技术委员长、日立制作所的城石芳博)。 2Tbit/平方英寸换算成1块3.5英寸硬盘,其容量相当于3TB左右,换算成2.5英寸硬盘则为1.5TB左右。“2014年的产品将达到这一水平”(城石)。SRC今后将启动第5次技术委员会,以2013年为目标,探讨可实现更高密度——8Tbit/平方英寸的技术。 瓦记录是从2008年前后开始受到关注的技术。其特点是,在磁道宽度方向重叠写入数据,即使不缩小磁头的磁道宽度,也可提高磁道密度(参阅本站报道)。由于无需缩小记录磁头,可产生较大的磁场。由此可使用特性较高的磁性材料,即使缩小记录介质中的磁性粒子,也可确保数据的热稳定性。这有助于提高线记录密度。瓦记录技术采用的磁头及记录介质均为目前技术的扩展,“元件级别上几乎不存在问题”(SRC)。 第4次技术委员会除了瓦记录之外,还探讨了利用晶格介质(Bit Patterned Media)等新硬盘介质的方式,以及写入技术采用“热辅助记录”及“微波辅助记录”的方式等。其中,热辅助记录是继瓦记录之后,技术上更易达到实用水平的方式。技术性问题最多的是晶格介质。关于微波辅助记录,“面世时间不长,还有很多地方没弄清楚”(城石),SRC将其定位于热辅助记录与晶格介质之间。 通过采用瓦记录、热辅助记录、微波辅助记录及晶格介质等,“估计可使面记录密度达到4Tbit/平方英寸”(城石)。但要以此实现8Tbit/平方英寸,则技术难度会很大。“尤其是热扰动,今后会成为一大课题”(城石)。此外,SRC还认为,超过2Tbit/(英寸)2时,读取技术也会成为一大难题。SRC今后打算融合多项新技术,使8Tbit/平方英寸的目标得以实现。(日经BP记者:根津 祯) |





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