| 9月22日,三星电子16号半导体生产线竣工投产。该生产线为全球最大规模半导体生产线,主要产品为20纳米级NAND闪存。据了解,三星电子9月份还将首次实现20纳米级DDR3内存设备的量产,成为全球最早量产20纳米级存储器产品的企业。 据悉,三星电子16号半导体生产线自去年5月开工建设,经过短短的15个月即投入运行,总面积约为20万平方米,建筑达12层,也是全球最大规模的半导体生产线。三星电子方面表示,三星电子16号半导体生产线今年2月竣工、5月建成洁净室(Clean Room)、6月开始产品测试、8月完备量产系统,计划从9月份起,每月生产1万片以上的12英寸晶圆20纳米高速NAND闪存。有业内人士称,以此为契机,三星电子在巩固其内存领先企业地位的同时,也为全球IT市场注入了新的活力,为今后的发展打下了良好的基础。到今年年末,三星电子将按照NAND闪存的需求,逐渐增加12英寸晶圆的生产规模,明年计划量产10纳米级大容量高速闪存。 据悉,9月份将实现量产的三星20纳米级DDR3内存拥有与去年7月研发的30纳米级DDR3内存同等性能,同时提高了约50%生产效率,节约了40%以上的耗电量,是名副其实的绿色内存。 三星计划今年年内研发20纳米级4Gb DDR3内存,明年开始量产4GB、8GB、16GB、32GB等大容量产品。从企业服务器到笔记本电脑,三星将在IT市场上不断扩大绿色内存的比重。 三星集团李健熙会长、索尼集团中川裕副会长等500余名IT界人士出席了9月22日举行的16号生产线竣工仪式暨20纳米级DDR3内存设备投产仪式。 |





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