| 年以前,VLSI Research公司的总裁Risto Puhakka曾经预测称:“EUV光刻系统将乏人问津,其售价有可能提升到1.25亿美元的水平。”当时几乎所有的人都认为他是在满嘴跑火车,可是如今,越来越多的厂商开始停止采购这种系统用作生产。 ASML NXE:3100 EUV光刻机 2003年,EUV光刻系统当时的积极支持者Intel公司认为EUV光刻设备的目标定价应在2000万美元较为合适。目前各大半导体厂商普遍采用的是193nm沉浸式光刻系统(光波波长193nm,数据孔径值以ASML公司Twinscan NX1950i为例为1.35),而采用EUV光刻设备(波长13.5nm,数据孔径值以ASML公司ADT EUV Tool和Twinscan NXE3100为例均为0.25)的目的是待193nm沉浸式光刻系统不能满足产品生产要求时取而代之。
ASML公司的ADT(Alpha demo tool) EUV光刻机 |





|手机版|搜索|焦点光学|光电工程师社区
( 鄂ICP备17021725号-1 鄂网安备42011102000821号 )
Copyright 2015 光电工程师社区 版权所有 All Rights Reserved.
申明:本站为非盈利性公益个人网站,已关闭注册功能,本站所有内容均为网络收集整理,不代表本站立场。如您对某些内容有质疑或不快,请及时联系我们处理!
© 2001-2022 光电工程师社区 网站备案号:鄂ICP备17021725号 网站公安备案号:鄂42011102000821号 Powered by Discuz! X3.2
GMT+8, 2025-12-27 20:42