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IMEC通过厚20μm结晶硅电池实现16.3%转换效率

2010-7-19 08:46 发布者: update 阅读 1.1k 评论 0

IMEC于2010年7月13日宣布,通过采用外延生长制作的20μm厚结晶硅太阳能电池,实现了16.3%的单元转换效率。

IMEC于2010年7月13日宣布,通过采用外延生长制作的20μm厚结晶硅太阳能电池,实现了16.3%的单元转换效率。单元面积比较大,为70cm2。IMEC介绍说该单元目前正在美国旧金山市举行的半导体展会 “Semicon West 2010”(2010年7月12~16日)上展示。

IMEC正在IMEC Industrial Affiliation Program(IIAP)这一开发项目中,开发两种新一代结晶硅太阳能电池。一种是从铸锭上切割结晶硅晶圆后使用的整体型。另一种是通过外延生长在底板上形成结晶硅的型号。后者的特点是:虽然也在底板上采用了多晶硅晶圆,但晶圆质量不高也可使用,而且厚度大幅薄于整体型。

此次开发的单元制造工艺概要如下。首先,在底板上形成由多孔硅构成的光密封专用布拉格反射层。然后,通过CVD(化学气相沉积)法,按照p型 BSF(Back Surface Field)、p型层以及n型层的顺序来层叠半导体层。最后,在表面进行等离子处理,形成用于光密封的凹凸。

IMEC在同样采用外延生长的同时,制作出了部材不同的两种单元。一种是采用高质量结晶硅底板,在电极中采用铜(Cu)布线的单元。另一种是采用通过名为UMG(Upgraded Metallurgic Grade)的冶金工艺制造的质量稍低的结晶硅晶圆,通过丝网印刷形成布线图案的单元。16.3%的转换效率是通过采用高质量结晶硅底板实现的。采用 UMG硅晶圆的单元的转换效率为14.7%。IMEC的能源及太阳能业务总监Jef Poortmans表示,“如果用铜来封装布线图案,那么即便是采用低质量底板的单元,也可以将转换效率提高至可与现有结晶硅太阳能电池相竞争的水平”。

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