半导体的未来将是它？“石墨烯之父”又发现超级材料

   硒化铟（Indium Selinide，InSe）

　　比石墨烯更好的半导体

　　石墨烯只有一层原子那么厚，具有无可比拟的导电性。全世界的专家们都在畅想石墨烯在未来电路中的应用。

　　尽管有那么多的超凡属性，石墨烯却没有能隙（energy gap）。不同于普通的半导体，它的化学表现更像是金属。这使得它在类似于晶体管的应用上前景黯淡。

　　这项新发现证明，硒化铟晶体可以做得只有几层原子那么薄。它已表现出大幅优于硅的电子属性。而硅是今天的电子元器件（尤其是芯片）所普遍使用的材料。

　　更重要的是，跟石墨烯不同，硒化铟的能隙相当大。这使得它做成的晶体管可以很容易地开启/关闭。这一点和硅很像，使硒化铟成为硅的理想替代材料。人们可以用它来制作下一代超高速的电子设备。

　　当下，科学家们很喜欢把石墨烯和其他优秀的材料结合起来。让石墨烯的非凡属性和其他材料的特点进行互补。这往往产生令人兴奋的科学发现，并会以我们想象不到的方式应用在实际问题中。

　　“石墨烯之父 ”Sir Andre Geim 说：“超薄的硒化铟，是处于硅和石墨烯之间的理想材料。类似于石墨烯，硒化铟具有天然超薄的形态，使真正纳米级的工艺成为可能。又和硅类似，硒化铟是优秀的半导体。”由于发现了石墨烯，Sir Andre Geim 获得了诺贝尔物理学奖。他同时也是这项研究的作者之一。他认为，这项硒化铟的发现会对未来电子产业产生巨大冲击。

        硒化铟是国立石墨烯研究院的最新成果

国立石墨烯研究院

　　曼彻斯特大学的研究人员们需要克服一项首要问题，才能制作出高质量的硒化铟装置。由于太薄，硒化铟会快速被氧气和空气中的水分分解。为避免这种情况，硒化铟装置必须在氩气中制作。而这利用了曼大国立石墨烯研究院开发的技术。这使得世界上第一片高质量、原子厚度的硒化铟薄膜被生产出来。它在室温下的电子迁移率达到 2，000 cm2/Vs，远远超过了硅。在更低温度下，这项指标还会成倍増长。当前的实验中，研究者们制作出的硒化铟长宽有几微米，大约相当于一根头发丝的横截面那么大。研究人员们相信，只要结合现有的制作大面积石墨烯的技术，硒化铟的商业化生产指日可待。

　　国立石墨烯研究院负责人，同时也是这篇论文作者之一的 Vladimir Falko 教授说：“国立石墨烯研究院开发的技术，能把材料的原子层进行分离，生产出高质量二维晶体。这项技术为开发应用于光电子学的新材料，提供了广阔的前景。我们一直在寻找新的层状材料做试验。”超薄硒化铟，是飞速增长的的二维晶体大家族中的一员。这些二维晶体，根据结构、厚度和化学成分的不同，有许多有用的属性。对石墨烯和二维材料的研究，沟通了科学和工程技术。在今天，这是材料科学发展最快的领域。