掩模蒸镀及剥离

在图案形成技术中，也有不在光刻胶上曝光蚀刻，而只需从掩模上方进行蒸镀即可直接获得图案的方法。

通过蒸镀及溅射制成的薄膜一般是在背面通过蚀刻来形成的图案。使用掩模蒸镀及剥离的方法，无需蚀刻工序即可直接形成图案（图1）。

 
图1：掩模蒸镀及剥离

掩模蒸镀以穿透模板掩模的带孔金属板的方式进行蒸镀，在底板上直接形成图案。如果是MEMS，当进入最后一道工序来安装电极时，如果底板表面被加工成了立体形状，就很难再进行光刻。这时，若能够在模板掩模上加上电极图案，就会非常方便。

而剥离方法则在利用光刻胶制成的图案上蒸镀金属，然后在背面去除光刻胶，从而在没有光刻胶的部分留下金属图案。但是，光刻胶的侧壁一旦被金属膜全部覆盖，光刻胶剥离液就不能浸透，导致光刻胶无法去掉。为了防止这一情况，可采取在光刻胶上部加上屋檐状突起，或者将光刻胶制成倒锥形的方法。

通过掩模蒸镀及剥离形成多层金属图案时十分方便。多层的金属膜在放入蚀刻液后会形成局部电池，在电腐蚀下容易出现只有下面的层被蚀刻的情况。在形成多层金属膜上的图案时，与蚀刻相比，使用掩模蒸镀及剥离的方法一般更为便利。