美国II-VI公司发布下一代808 nm半导体激光器

在6月22-25日德国慕尼黑2015世界光电子激光展会B1馆，工程材料和光电元件制造商美国II-VI公司的子公司—瑞士苏黎世II-VI激光企业有限公司表示，正在推出下一代多模大功率808nm半导体激光器单发射器组合。新芯片对可靠性和效率进行优化，输出功率10W以上，实现下一代高功率光纤耦合模块，作为材料加工和医疗应用的泵浦源。

扩大组合的808nm光纤耦合模块提供输出功率15W-30W，具有相同机械尺寸和纤维结构（200μ米纤芯/ 0.22数值孔径）。新的光纤耦合产品是已经证明大批量通用“BMU”单发射平台的扩展。这些高输出功率/亮度BMU采用一个易于安装的紧凑气密封装。二极管泵浦固态（DPSS）激光器制造商，医疗器械制造商和其他子系统的开发人员可以提升产品性能（通过替换现有的低功耗模块），简化产品配置（使用较少的模块）和提高产品可靠性（通过不太复杂的光纤管理）。II-VI公司认为，基于其芯片设计技术和大批量封装制造技术，新产品提供延长的使用寿命。同时，该波长范围和光纤连接器类型可以定制，以满足特定客户的应用需求。新一代半导体激光器芯片还可以提供氮化铝基板或C底座上的开放热沉。