IBM以石墨烯制成混频器IC

混频器是无线通信中用于调制频率的电路。此次的混频器IC由1个栅极长为550nm的GFET、2个电感器以及4个端子焊盘等组成。试制芯片的尺寸约为900μm×600μm。

试制时，首先用热分解法令石墨烯膜在SiC基板上外延生长。具体为，把SiC基板的表面加热至1400℃，只令Si从表面2～3层的SiC结晶中脱离出来。剩下的C会自动形成石墨烯膜。该石墨烯膜显示出n型半导体的特性。

GFET和电感器混载于一枚芯片上

 图中展示了IBM开发的混频器IC。在利用热分解法形成石墨烯后，依次制作布线层的源漏电极、栅极电极及电感器。栅极长为550nm，通道宽度为30μm。

在该石墨烯膜上制作掩模，使用基于电子光束（EB）的光刻技术在石墨烯膜上形成图案。然后，层叠源漏电极。在形成作为栅极绝缘膜的Al2O3后，形成栅极电极。接着通过使用垫片叠加Al层，以EB加工成电感器。

在评价此次的试制品时，确认了其可按照设计工作。即输入4GHz的局部振荡（LO）频率和3.8GHz的模拟信号时，输出了这两种频率的和7.8GHz及差200MHz。

此次混频器IC使用了高价的SiC基板，这是其实用化所面临的主要课题。不过，与使用GaAs、工作频率为几GHz的混频器IC产品相比，还是有其优势的。因为现有混频器IC无法混载电感器，需要外置被动部件。（记者：野泽 哲生）

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