英特尔与美光新加坡合资NAND闪存厂投产

2011-4-22 09:42 发布者: update 阅读 706 评论 0

英特尔官员日前表示，英特尔和美光联手在新加坡投资30亿美元兴建的NAND闪存厂周四开始投产。之前由于爆发全球性金融危机，加上内存产品价格低迷，英特尔和美光刚开始就推迟了兴建这座工厂的计划，不过双方于2010年又 ...

国外媒体报道，英特尔官员日前表示，英特尔和美光联手在新加坡投资30亿美元兴建的NAND闪存厂周四开始投产。之前由于爆发全球性金融危机，加上内存产品价格低迷，英特尔和美光刚开始就推迟了兴建这座工厂的计划，不过双方于2010年又把这项计划重新提上日程。

双方表示，由于进展顺利，工厂提前完工。英特尔非易失性存储解决方案集团副总裁托马斯·兰波尼（Thomas Rampone）称这座工厂刚开始每月可生产数千块晶片，明后两年每月可生产2.5万块晶圆。每块晶圆包含有许多闪存芯片。

目前，美光和英特尔在美国拥有2家合资厂。随着市场对芯片产品需求的不断扩大，双方再度联手新建了这座工厂，面向移动设备制造商销售产品。

英特尔和美光表示，工厂刚开始将采用25纳米生产流程，年底前将采用20纳米生产流程。英特尔和美光之所以选择在新加坡建厂，主要是为了吸引更多人才，接近供应链。