六大步骤！半导体激光器的制备流程
摘要: 半导体激光器的制备流程主要通过六大步骤实现！
1)芯片设计：实现外延结构设计、芯片结构设计、端面设计和芯片工艺流程设计； 3)器件前端工艺：开展精细光刻，低缺陷干湿法刻蚀，蒸镀低应力且致密的介质薄膜以及N/P型金属电极形成欧姆接触，衬底减薄、抛光等前端芯片工艺； 4)器件后端工艺：进行边发射激光器的真空解理和腔面钝化，划片解理，蒸镀高反射率（HR）和低反射率腔面膜等核心工艺，提高激光器的COMD阈值； 5)封装测试：为实现高性能和高可靠性激光器芯片，开展高效率的散热设计、开发高可靠性贴片回流技术和键合技术，进行全面的LIV，远近场光斑和光谱测试，分析器件的性能是关键； 6)可靠性与失效机理分析：对封装后的激光器芯片进行老化试验，检验器件的可靠性和寿命，筛选出失效器件，通过扫描电镜（SEM）和聚焦离子束（FIB）刻蚀技术剖析失效器件的内部结构，找出材料或者工艺的问题，进一步提高产品合格率和可靠性。
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