在传统计算机中,通常会在一个区域(CPU)处理数据,然后在将数据传递到另一个区域(例如硬盘和固态硬盘)进行存储。这种模式已经为我们服务了数十年,但这并不一定是最有效的处理方式。 例如在人类大脑(世界上最强大的计算机)中,神经元就具备处理和存储信息的能力。工程师试图模仿此功能,创建具有内存中逻辑架构的芯片,有时也称为“忆阻器”。这个想法是,无需大量传送数据,我们可以制造更小更快的设备,消耗更少的能量。 而EPFL的这项研究朝着这个目标迈出了新的一步。该团队的新型内存中逻辑芯片是第一种使用2D材料制成的芯片,该材料包括一层只有3个原子厚的MoS2。这种材料的超薄厚度不仅非常适合缩小器件的尺寸,而且还可以制成出色的半导体。 新型芯片称之为浮栅场效应晶体管(FGFET),通常在闪存系统中使用,这些晶体管擅长长时间保持电荷。MoS2对这些存储的电荷特别敏感,从而使其能够执行逻辑和存储功能。 该研究的主要作者安德拉斯·基斯(AndrasKis)说:“我们的电路设计具有许多优势。它可以减少与在内存单元和处理器之间传输数据相关的能量损失,减少计算操作所需的时间,并减少所需的空间。这为更小,更强大和更节能的设备打开了大门”。 免责声明:编写或转载此文是为了传递更多的信息,为光电行业尽一些绵薄之力。若文字或图片侵犯了您的合法权益或有不当之处,请作者在20个工作日之内与我们联系,我们将协调给予处理。 联系邮箱:lm@focaloptics.com,欢迎相关行业朋友与我们约稿。谢谢。 |
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