| 激光行业有很多优秀的技术,今天光电工程师社区小编为大家带来的是激光退火技术,各位光学爱好者可以看看下面的内容,了解一下哦。 激光退火技术主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅。传统的加热退火技术是把整个晶圆放在真空炉中,在一定的温度(一般是300-1200℃)下退火10-60分钟。这种退火方式并不能完全消除缺陷,高温却导致材料性能下降,掺杂物质析出等问题。于是自上世纪末以来,激光退火的研究非常活跃,研发出了毫秒级脉冲激光退火、纳秒级脉冲激光退火和高频调Q开关脉冲激光退火等多种激光退火方式。近些年来,激光退火已在国内外取得了一些成熟的应用。 主要优势 (1)加热时间短,能够获得高浓度的掺杂层; (2)加热局限于局部表层,不会影响周围元件的物理性能; (3)能够能到半球形的很深的接触区; (4)由于激光束可以整形到非常细,为微区薄层退火提供了可能。 以上就是光电社区跟大家带来的激光退火技术,请对激光感兴趣的朋友们到光电论坛上面发表自己的一些想法哦。 |






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