| 美国IBM公司利用以石墨烯作通道的晶体管(GFET)等制成了混频器IC。从GFET的形成、层叠到电感器和布线的集成,均在晶圆上一次性制成,首次展现了采用石墨烯的IC量产的可能性。 此次制成的混频器IC因尺寸非常小,显示出了其特性温度依存性小,而且可在10GHz的大带宽工作等出色性能。IBM称今后的目标是将GFET混载于更复杂的电路中。 在SiC基板上外延生长 混频器是无线通信中用于调制频率的电路。此次的混频器IC由1个栅极长为550nm的GFET、2个电感器以及4个端子焊盘等组成。试制芯片的尺寸约为900μm×600μm。 GFET和电感器混载于一枚芯片上 图中展示了IBM开发的混频器IC。在利用热分解法形成石墨烯后,依次制作布线层的源漏电极、栅极电极及电感器。栅极长为550nm,通道宽度为30μm。 |





|手机版|搜索|焦点光学|光电工程师社区
( 鄂ICP备17021725号-1 鄂网安备42011102000821号 )
Copyright 2015 光电工程师社区 版权所有 All Rights Reserved.
申明:本站为非盈利性公益个人网站,已关闭注册功能,本站所有内容均为网络收集整理,不代表本站立场。如您对某些内容有质疑或不快,请及时联系我们处理!
© 2001-2022 光电工程师社区 网站备案号:鄂ICP备17021725号 网站公安备案号:鄂42011102000821号 Powered by Discuz! X3.2
GMT+8, 2025-12-25 03:04