GaN基材料作为第三代半导体的杰出代表,已经被广泛应用于光电子领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。另外,GaN基材料具有很好的抗辐射性和很高的化学稳定性,近年来人们逐渐开始关注其在核探测领域的基础和应用研究。常规GaN基材料因其背景载流子浓度高和位错密度高,使得基于该种材料的核探测器具有很高的漏电流,而Fe掺杂自支撑GaN基材料,因其高阻和高结晶品质可以大大降低探测器的漏电流,因此在核探测和成像领域具有很好的应用前景。 本研究工作得到苏州纳维科技有限公司,微纳加工平台,测试分析平台以及国家自然科学基金、江苏省自然科学基金、苏州市工业应用基础研究的大力支持。 |





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