808nm的LD,小功率的(小于1W)的大多是TE偏振,而大功率的是TM偏振,我也不知为什么,有人知道吗?

808nm的LD,小功率的(小于1W)的大多是TE偏振,而大功率的是TM偏振,我也不知为什么,有人知道吗?

808nm的LD,小功率的(小于1W)的大多是TE偏振,而大功率的是TM偏振,我也不知为什么,有人知道吗?

808nm的LD,小功率的(小于1W)的大多是TE偏振,而大功率的是TM偏振,我也不知为什么,有人知道吗?

引用:

原帖由 spdif 于 2008-1-10 22:25 发表
808nm的LD,小功率的(小于1W)的大多是TE偏振,而大功率的是TM偏振,我也不知为什么,有人知道吗?

事实不是这样啊，大功率的（>1W）的也有TE偏振的，其偏振态跟半导体的掺杂成分有关，不同的配比，使得TE模和TM模具有不同的增益光谱，因此偏振态会不同。

很久没有在这个论坛里面听到楼上这么专业的分析了。顶一下。。。。。。。。。。


建议大家在不涉及公司技术保密的前提下，都整点专业点儿的东西出来讨论。

引用:

原帖由 xbdxwm 于 2007-6-2 15:27 发表
这个问题，我还是有点发言权的！估计你们用的晶体都的经过我的抽测后，才能收到哦！哈哈

YVO4有偏振吸收，LD光束发散较小的方向是偏振方向，不信可用偏振棱镜测一下。偏振方向跟C轴平行吸收最大，出光功率最高！

吴大虾好久见了，分析的很透彻，理论水平大大见长阿呵呵！
全力支持，这个实验很多人都做过的！ LD 有个测试项目就是测量偏振比的，测量快轴和慢轴之间的偏振比，有点类似晶体的消光比！大部分的LD都是慢轴方向偏振的，拿个偏振分光棱镜看一下便知！

引用:

原帖由 watermoon 于 2008-1-10 14:36 发表

顶你的。
那就是慢轴偏振了？
但是很多都用光纤耦合输出作为泵浦源，那么就不是线偏振了？这样晶体的吸收岂不是 不是很好？

有没有达人来解释一下这个问题？

吸收弱不等于激光效率差. 相反对于高功率可能更有好处.

按楼上各位讨论的，带尾纤输出的模块要是是线偏的并且更yvo4c轴平行，应该效率会更高吧？

TE or TM mode is mainly dependent on waveguide and QW strain compensation type, if it is compressive strain, then the beam will be TE mode, direction is align with slow axis (slow angle direction); if it is tensile strain compensation, then the beam will be TM mode, direction is align with the fast axis (larger angle direction).

Hope this help

导带电子与重孔穴和轻孔穴分别复合产生TE模与TM模！在书上看到的

LD经过光纤整形后应该还是有一定的偏振的，但是偏振的方向是要改变的，但是可以通过转动光纤使之输出光与LD的偏振的方向相同不就完了吗。

TE为水平偏振，TM为垂直偏振的。

有些芯片参数上写的偏振方向TE或TM ，那他们是怎么控制激光器的偏振方向呢？？

半导体激光器大部分都是TE偏振的，但也有TM偏振的，偏振方向与设计有关，见25楼的解释，如果想要更仔细的了解可以参考半导体激光器的相关书籍。

引用:

原帖由 zemax 于 2008-5-2 19:23 发表
吸收弱不等于激光效率差. 相反对于高功率可能更有好处.

顶这句话。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

跟掺杂没什么太大的关系，主要与有源区里阱层与垒层的晶格匹配有关，
阱层与垒层是张应变的是TM模，阱层与垒层是压应变的是TE模。

对于半导体激光器：

一般来讲，偏振方向指的是电场的振动平面。对于激光二极管，电场的振动方向平行于LD的有源层（active layer）的称为TE模（横电场或p偏振模），而电场振动方向垂直于有源层的称为TM模（横磁场或s偏振模）。LD之所以具有不同的偏振态是跟LD的半导体有源层的掺杂成分相关的，不同的掺杂成分导致有源层的偏振光谱不同，即不同的偏振态具有不同的发射截面，因而阈值差异较大。对一个椭圆光束激光二极管，其偏振方向一般平行于短轴。

以上可以参考一下～～

可以买个设备测试下偏正消光比