我在进行将LED应用在照明方面的开发工作,现在有些问题需要同同行讨论:
1.已有大尺寸LED芯片25X25,和40X40,以前做法是直接粘接在敷铜铝基板上,在用金线连接芯片和敷铜电极,这样做工艺简单,但是发光效率不高,现在有种工艺可以把芯片倒装焊在硅片上,光通过蓝宝石衬底出来,这样一可以提高发光效率,二散热也比前种工艺好,但是面临的问题是,如何把芯片倒装在硅片上,硅片谁可以在上面做电极,谁可以提供?不知道国内有没厂商做到.
2.LED是点光源,如果希望发光面积增大,必须通过透镜来实现,谁能设计这方面的透镜?
欢迎联系szsyl@szonline.net
我有興趣!!
liuhk9603@126.com
偶也是从事LED照明的 交流一下!
可以用几何光学东西实现,我也可以试试
。
第一个问题可搜索一下"倒装芯片封装";
第二个问题,若是需要特殊的透镜,可能需要开模,国内传统光学大厂应能办得到
我司有!
大功率管反压很低,接反很容易烧毁,不知道有没有人知道
用3.6V就可以烧断金线,芯片没有事,厂家有没有注意到?
大功率LED的透镜哪家厂专门有生产的?
我家生產的LED透鏡
我司开发大功率LED散热基板,专门解决LED散热问题.基板采用美国贝格斯(Bergqusit)铝基覆铜板(T-Clad)导热性能根据绝缘层的不同而有所区别.也有采用美国贝格斯(Bergqusit)绝缘层(MP,CML),国内压板的散热基板. T-Clad 具有良好的热传导性、绝缘性、机械加工性和尺寸稳定性。在封装微型化的趋势下,能使电路板内的发热组件组,达到理想热管理。(只需1/4传统的散热面积),能抵受电压而不剥脱铜层,有高导热性。
T-Clad 主要技术参数:
基本结构
面层——铜线路层(1-10oz);
中层——导热绝缘层(HT-3mil LTI-3mil MP-3mil)
以及金属基层(铝/铜)。
导热系数从1.3W/m-K 到2.2W/m-K.
要想采取倒装方式其实很简单,其电极采用凸点技术制作即可,硅片上的凸点制作相对比较专业点,有兴趣可以联系:
configer99@163.com