在半導體產業 經常鍍金屬膜
但聽說金屬膜的真空條件必須在-6~-10torr
why??
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保证在较高真空度下镀膜，防止金属氧化

也可以不用那么高的真空度，但需要通入气体保护

通入氣體保護??
什麼意思阿?

抱歉，是我搞错了！
我见到的半导体方面镀金属膜或激光器件镀AR膜用的镀膜机采用的高真空泵都是低温泵，真空度确实比较高，都在10－7  Torr左右。

有时镀膜过程中会向真空室内通入惰性气体以保护膜层，减少氧化。

你们保护气一般使用哪种气体？（N2、Ar还是其他）

后者多一点，金属膜高温易氧化，真空度是要高一点的好

引用:

下面引用由ic5在 2003/07/29 02:31pm 发表的内容：
你们保护气一般使用哪种气体？（N2、Ar还是其他）

我用的是Ar。当真空度在10-3左右，打开Ar阀，调节节流阀，使工作室内真空为0.1×10-1，再开始镀膜。
我用的是磁控溅射。

有没有新的镀制金属膜的工艺？请告知？

他怎么用的是繁体的文字！用气体保护！高真空！要不去太空！！·！开玩笑的！我看大家需要轻松一下！

是要用气体保护的，不然真会氧化的！

好像有人用电子枪镀金属膜，其用什么坩埚，工艺如何呀？