☆

ρ=m*/ne2τ
n、τ分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当n、τ越大，薄膜的电阻率（ρ）就越小，反之亦然。而载流子浓度（n）与ITO薄膜材料的组成有关，即组成ITO薄膜本身的锡含量和氧含量有关，为了得到较高的载流子浓度（n）可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现&#59;而载流子迁移率（τ）则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关， 为了得到较高的载流子迁移率（τ）可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。
所以与面电阻没有直接关系。
但是同样的膜厚做的面电阻越低，那么电阻率也就越低，这是一定的，因为：
R□=ρ/ d

[这个贴子最后由slyz在 2004/03/21 08:20pm 第 1 次编辑]

3x
但
r=p/d
应该是有关系？？？？